並列タイトル等In-plane anisotropy of electric field in organic field effect transistor observed by optical second harmonic generation measurement
一般注記電流密度jはj=en$\mu$Eと表わされるので、有機電界効果トランジスタの解析では、電荷密度en(キャリアの起源)・移動度$\mu$(キャリアの移動)・電界E(有機材料内の電界分布)に関する知見が必要である。注入キャリアで動作する有機FETではONおよびOFF時の電界分布を決定することが重要になる。これまで我々は誘電分極現象に敏感な光第二次高調波発生(SHG)に着目し、有機FETの電界分布評価に対する手法を提案してきた。今回はSH光の偏光方向から電界成分を解析することにより、ペンタセンFETの面内電界分布を検討した。その結果、ドメインサイズが1$\mu$m程度に達する試料を用いた場合にも、SHG法によりチャネル方向の静電界を計測できることが示された。
Electric field E, mobility $\mu$ and carrier density en are key parameters used to discuss the operation mechanism of Organic Field transistors (OFETs).OFETs are mainly ruled by carriers injected from the source electrode. Hence space charge field is formed in OFETs. It is a significant issue to evaluate electric field distribution along the FET channel.In our previous studies, we proposed a novel technique for evaluating the electric field distribution in OFETs using the second harmonic generation (SHG) activated by the d.c. electric field induced polarization of organic semiconductor. In this work, in-plane anisotropy of electric field in pentacene FET was investigated with polarized SH light. Consequently, d.c. electric field along the channel is shown to be determined for pentacene films with crystalline domain size of about 1$\mu$m.
identifier:oai:t2r2.star.titech.ac.jp:50055948
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