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Bitline-Capacitance-Insensitive Readout Circuit Using Capacitive-Feedback Charge-Integration Scheme for Low-Voltage FeRAM

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Bitline-Capacitance-Insensitive Readout Circuit Using Capacitive-Feedback Charge-Integration Scheme for Low-Voltage FeRAM

資料種別
記事
著者
小谷, 光司ほか
出版者
2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2009)
出版年
2009-10
資料形態
掲載誌名
Extended Abstracts of the 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2009)
掲載ページ
p.70-71
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資料に関する注記

一般注記:

出版タイプ: NAidentifier:oai:t2r2.star.titech.ac.jp:50125901

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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
小谷, 光司
Kotani, Koji
越本, 洋平
Koshimoto, Yohei
伊藤, 隆司
Ito, Takashi
出版年月日等
2009-10
出版年(W3CDTF)
2009-10
タイトル(掲載誌)
Extended Abstracts of the 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2009)
掲載ページ
70-71
本文の言語コード
eng
対象利用者
一般
一般注記
出版タイプ: NA
identifier:oai:t2r2.star.titech.ac.jp:50125901
連携機関・データベース
国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース(IRDB)(機関リポジトリ)
提供元機関・データベース
東京科学大学 : 東京科学大学リサーチリポジトリ(T2R2)