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Lanthanum Oxide Capping Layer for Solution-processed Ferroelectric-gate Thin-film Transistors

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Lanthanum Oxide Capping Layer for Solution-processed Ferroelectric-gate Thin-film Transistors

資料種別
記事
著者
宮迫, 毅明ほか
出版者
-
出版年
2011-04
資料形態
掲載誌名
-
掲載ページ
-
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資料に関する注記

一般注記:

出版タイプ: NAidentifier:oai:t2r2.star.titech.ac.jp:50149292

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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
宮迫, 毅明
Miyasako, Takaaki
徳光, 永輔
TOKUMITSU, EISUKE
出版年月日等
2011-04
出版年(W3CDTF)
2011-04
本文の言語コード
eng
対象利用者
一般
一般注記
出版タイプ: NA
identifier:oai:t2r2.star.titech.ac.jp:50149292
連携機関・データベース
国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース(IRDB)(機関リポジトリ)
提供元機関・データベース
東京科学大学 : 東京科学大学リサーチリポジトリ(T2R2)