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Heteroepitaxial Growth of Diamond on Si Substrates via 3C-SiC buffer layer by Antenna Edge Microwave Plasma CVD for Power Electronics Application

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Heteroepitaxial Growth of Diamond on Si Substrates via 3C-SiC buffer layer by Antenna Edge Microwave Plasma CVD for Power Electronics Application

資料種別
記事
著者
矢板, 潤也ほか
出版者
-
出版年
2014-12
資料形態
掲載誌名
-
掲載ページ
-
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資料に関する注記

一般注記:

出版タイプ: NAidentifier:oai:t2r2.star.titech.ac.jp:50285796

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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
矢板, 潤也
Yaita, Junya
岩崎, 孝之
Iwasaki, Takayuki
波多野, 睦子
Hatano, Mutsuko
出版年月日等
2014-12
出版年(W3CDTF)
2014-12
本文の言語コード
eng
対象利用者
一般
一般注記
出版タイプ: NA
identifier:oai:t2r2.star.titech.ac.jp:50285796
連携機関・データベース
国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース(IRDB)(機関リポジトリ)