Study on Normally-off AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with P-GaN Cap Layer

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Study on Normally-off AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with P-GaN Cap Layer
• 著者・編者: 蒲, 涛飞
• 著者標目: 蒲, 涛飞
• 出版年月日等: 2019-03-06
• 出版年（W3CDTF）: 2019-03-06
• 並列タイトル等: P-GaNキャップ層を有するノーマリオフ型AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタに関する研究
• 授与機関名: 徳島大学
• 授与年月日: 2019-03-06
• 報告番号: 甲第3290号
• 学位: 博士（工学）
• 本文の言語コード: eng
• 件名標目: AlGaN/GaN heterostructure; normally-off; blocking layer; gate-first; metal-insulator-semiconductor
• 対象利用者: 一般
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 徳島大学 : 徳島大学機関リポジトリ

目次

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