GaAsの液相エピタキシャル成長と静電誘導デバイスへの応用に関する研究

資料に関する注記

書店で探す

国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。

所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください

その他

静岡大学学術リポジトリ
デジタル
連携先のサイトで、学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）が連携している機関・データベースの所蔵状況を確認できます。
静岡大学学術リポジトリのサイトでこの本を確認

この資料の詳細や典拠（同じ主題の資料を指すキーワード、著者名）等を確認できます。

資料種別: 文書・図像類
タイトル: GaAsの液相エピタキシャル成長と静電誘導デバイスへの応用に関する研究
著者・編者: 神谷, 俊幸
著者標目: 神谷, 俊幸
出版事項: 静岡大学大学院電子科学研究科
出版年月日等: 1997-03-29
出版年（W3CDTF）: 1997-03-29
並列タイトル等: Studies on Liquid Phase Epitaxial Growth of GaAs and Application to Static Induction Devices
タイトル（掲載誌）: 静岡大学大学院電子科学研究科研究報告
巻号年月日等（掲載誌）: 18
掲載巻: 18
掲載ページ: 242-244
ISSN（掲載誌）: PISSN : 03885070
本文の言語コード: jpn
NDC: 541
対象利用者: 一般
一般注記: 博士学位論文の要旨学位記番号:工博甲第138号
甲第141号
application/pdf
記録形式（IMT）: application/pdf
オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
関連情報: 000000296356
連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
提供元機関・データベース: 静岡大学 : 静岡大学学術リポジトリ