Si，GaP および GaAs 単結晶清浄表面の構造と銀薄膜のエピタキシー

資料に関する注記

書店で探す

国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。

所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください

その他

静岡大学学術リポジトリ
デジタル
連携先のサイトで、学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）が連携している機関・データベースの所蔵状況を確認できます。
静岡大学学術リポジトリのサイトでこの本を確認

この資料の詳細や典拠（同じ主題の資料を指すキーワード、著者名）等を確認できます。

資料種別: 文書・図像類
タイトル: Si，GaP および GaAs 単結晶清浄表面の構造と銀薄膜のエピタキシー
著者・編者: 大野, 守史
著者標目: 大野, 守史
出版事項: 静岡大学大学院電子科学研究科
出版年月日等: 1987-03-25
出版年（W3CDTF）: 1987-03-25
並列タイトル等: Structure of Atomically Clean Si, GaP and GaAs Surfaces and Epitaxy of Ag Thin Films
タイトル（掲載誌）: 静岡大学大学院電子科学研究科研究報告
巻号年月日等（掲載誌）: 8
掲載巻: 8
掲載ページ: 107-108
ISSN（掲載誌）: PISSN : 03885070
本文の言語コード: jpn
NDC: 541
対象利用者: 一般
一般注記: 博士学位論文の要旨学位記番号:工博甲第28号
甲第29号
application/pdf
記録形式（IMT）: application/pdf
オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
関連情報: 000000167518
連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
提供元機関・データベース: 静岡大学 : 静岡大学学術リポジトリ