一般注記type:text
申請者らが開発した2波長励起フォトルミネッセンス(PL)法は、バンド間励起(AGE)光に加えて禁制帯内励起(BGE)光を断続照謝し、バンド間発光強度の変化を観測する手法である。BGE強度依存性に現れるtrap-filling効果に着目することにより、非発光再結合準位として作用する禁制帯内準位の濃度、エネルギー、電子・正孔捕獲率等の非発光再結合パラメーターを初めて定量的に導出し得る非接触・非破壊測定手法であることが示されて以来、その有効性は広く認知されている。GaAs系やGaN系半導体で蓄積してきた評価実績を基に、本研究ではBGE光源に可視域のエネルギー連続可変光源、光検出系に試料面内分布測定機能を含めた測定系を構築する。半導体のみならず各種蛍光体やより広範囲の発光材料に適用することによって、禁制帯内の複数準位を分離検出し、それらの成因を明示し得る汎用手法として確立することを目的とする。
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identifier:KAKEN: 14350002
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