高補償度半導体におけるイオン化不純物の不均一分布による内部Stark効果
デジタルデータあり（大阪大学学術情報庫 桜華）
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトルよみ
- コウホショウド ハンドウタイ ニオケル イオンカ フジュンブツ ノ フキンイツ ブンプ ニヨル ナイブ Stark コウカ
- 著者・編者
- 原田, 義之
- 著者標目
- 原田, 義之 ハラダ, ヨシユキ
- 並列タイトル等
- Internal Stark Effect Caused by Inhomogeneous Distribution of Ionized Impurities in Highly Compensated Semiconductors
- 授与機関名
- 大阪大学
- 授与年月日
- 1995-03-23
- 報告番号
- 甲第05152号
- 学位
- 博士（理学）
- 本文の言語コード
- eng
- 対象利用者
- 一般
- 一般注記
- 出版タイプ： VoR
- DOI
- 10.11501/3100504
- 記録形式（IMT）
- application/pdf
- 一次資料へのリンクURL
- 11722_Dissertation.pdf （fulltext）
- オンライン閲覧公開範囲
- インターネット公開
- 連携機関・データベース
- 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
- 提供元機関・データベース
- 大阪大学 : 大阪大学学術情報庫 桜華