高補償度半導体におけるイオン化不純物の不均一分布による内部Stark効果

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大阪大学学術情報庫　桜華
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資料種別: 博士論文
タイトル: 高補償度半導体におけるイオン化不純物の不均一分布による内部Stark効果
タイトルよみ: コウホショウドハンドウタイニオケルイオンカフジュンブツノフキンイツブンプニヨルナイブ Stark コウカ
著者・編者: 原田, 義之
著者標目: 原田, 義之ハラダ, ヨシユキ
https://nrid.nii.ac.jp/nrid/1000020288757
並列タイトル等: Internal Stark Effect Caused by Inhomogeneous Distribution of Ionized Impurities in Highly Compensated Semiconductors
授与機関名: 大阪大学
授与年月日: 1995-03-23
報告番号: 甲第05152号
学位: 博士（理学）
本文の言語コード: eng
対象利用者: 一般
DOI: 10.11501/3100504
記録形式（IMT）: application/pdf
オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
提供元機関・データベース: 大阪大学 : 大阪大学学術情報庫　桜華