III-V族化合物半導体の新しい原子層エピタキシ技術の開発と結晶成長機構に関する研究

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: III-V族化合物半導体の新しい原子層エピタキシ技術の開発と結晶成長機構に関する研究
• タイトルよみ: III-V ゾク カゴウブツ ハンドウタイ ノ アタラシイ ゲンシソウ エピタキシ ギジュツ ノ カイハツ ケッショウ セイチョウ キコウ ニカンスル ケンキュウ
• 著者・編者: 佐久間, 芳樹
• 著者標目: 佐久間, 芳樹 サクマ, ヨシキ
• 並列タイトル等: Development of a Novel Technology of Atomic Layer Epitaxy for III-V Compound Semiconductors and Study on its Growth Mechanism
• 授与機関名: OU
• 授与年月日: 1997-12-19
• 報告番号: 乙第07379号
• 学位: 博士（工学）
• 本文の言語コード: eng
• 対象利用者: 一般
• DOI: 10.11501/3144134
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 大阪大学 : 大阪大学学術情報庫 桜華

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