Formation of low-resistivity region in p-Si substrate of SiGe/Si episystem by remote-hydrogen plasma treatment

• 資料種別: 記事
• タイトル: Formation of low-resistivity region in p-Si substrate of SiGe/Si episystem by remote-hydrogen plasma treatment
• 著者標目: Yamashita, Yoshifumi; Sakamoto, Yoshifumi; Kamiura, Yoichi; Ishiyama, Takeshi
• 出版年月日等: 2008-06-29
• 出版年（W3CDTF）: 2008-06-29
• タイトル（掲載誌）: Physica B-Condensed Matter
• 巻号年月日等（掲載誌）: 401
• 掲載巻: 401
• 掲載ページ: 218-221
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2008-06-29
• ISSN（掲載誌）: 09214526
• 出版事項（掲載誌）: Elsevier BV
• 本文の言語コード: en
• 件名標目: SiGe/Si; Hydroge. Resistivity reduction; Interface
• 対象利用者: 一般
• DOI: 10.1016/j.physb.2007.08.150; https://doi.org/10.1016/j.physb.2007.08.150
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 関連情報（URI）: https://ousar.lib.okayama-u.ac.jp/34153
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : CiNii Research; https://cir.nii.ac.jp/
• 提供元機関・データベース: 学術機関リポジトリデータベース; https://irdb.nii.ac.jp; CiNii Articles
• NII論文ID: 120002306964

• 要約等: <p>We have studied effects of hydrogen treatment on the resistivity profile of the SiGe/Si episystem by spreading resistance (SR) method. In this pape...