CsCL:Pb中に形成される半導体超微粒子を用いた高速シンチレータ材料の開発

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: CsCL:Pb中に形成される半導体超微粒子を用いた高速シンチレータ材料の開発
• 著者・編者: 越水, 正典; 澁谷, 憲悟; 浅井, 圭介; その他; 澁谷 憲悟; 浅井 圭介
• 著者標目: 越水, 正典; 澁谷, 憲悟; 浅井, 圭介; その他; 澁谷 憲悟; 浅井 圭介
• 出版年月日等: 2007-03-30
• 出版年（W3CDTF）: 2007-03-30
• 本文の言語コード: jpn
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 第５４回応用物理学関係連合学術講演会
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• 要約等: 現在用いられている多くのシンチレータは、Ce3+等の発光中心を利用しているが、これらの発光寿命は数十ナノ秒程度であることが知られている。本研究では、より高速な応答を示すシンチレータを作製するために、発光中心として、半導体超微粒子の利用を試みた。CsCI:Pb結晶の熱処理により、半導体であるCsPbC...