Orientational control of CeO2 films on sapphire substrates grown by magnetron sputtering

• 資料種別: その他
• タイトル: Orientational control of CeO2 films on sapphire substrates grown by magnetron sputtering
• 著者・編者: 山本, 春也; 杉本, 雅樹; 越川, 博; 箱田, 照幸; 八巻, 徹也; 山本 春也; 杉本 雅樹; 越川 博; 箱田 照幸; 八巻 徹也
• 著者標目: 山本, 春也; 杉本, 雅樹; 越川, 博; 箱田, 照幸; 八巻, 徹也; 山本 春也; 杉本 雅樹; 越川 博; 箱田 照幸; 八巻 徹也
• 出版年月日等: 2016-08-08
• 出版年（W3CDTF）: 2016
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 第18回結晶成長国際会議(ICCGE-18)発表のため
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• 要約等: 酸化セリウム(CeOx)に担持させた白金（Pt）触媒は、その界面欠陥構造に起因して酸素還元活性の向上が期待されている。本研究では、結晶面方位の異なるCeO2膜モデル試料の作製を目的に、成膜中の基板温度等によるCeO2膜のエピタキシャル成長への影響について調べた。実験では、サファイア基板（C、R面）に...