半導体ナノワイヤ成長における触媒・基板界面構造

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: 半導体ナノワイヤ成長における触媒・基板界面構造
• 著者・編者: 高橋, 正光; 高橋 正光
• 著者標目: 高橋, 正光; 高橋 正光
• 出版年月日等: 2017-01-08
• 出版年（W3CDTF）: 2017-01-08
• 本文の言語コード: jpn
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 第３０回日本放射光学会年会 放射光科学合同シンポジウム
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• 要約等: 半導体ナノワイヤは、次世代光・電子デバイスや高効率太陽電池などへの応用可能性とともに、その異方的な形状により、結晶成長の観点からも興味が集められている。半導体ナノワイヤの代表的な成長方法に、金などの金属液滴を触媒としたVapor-Liquid-Solid（VLS）成長が知られている。VLS成長におい...