プロトンビーム描画により形成したシリコン空孔の光学特性劣化要因に関する研究

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: プロトンビーム描画により形成したシリコン空孔の光学特性劣化要因に関する研究
• 著者・編者: 山崎, 雄一; 千葉, 陽史; 牧野, 高紘; 佐藤, 真一郎; 山田, 尚人; 佐藤, 隆博; 加田, 渉; 土方, 泰斗; 児島, 一聡; -Y., Lee S.; 大島, 武; 山崎 雄一; 千葉 陽史; 牧野 高紘; 佐藤 真一郎; 山田 尚人; 佐藤 隆博; 加田 渉; 大島 武
• 著者標目: 山崎, 雄一; 千葉, 陽史; 牧野, 高紘; 佐藤, 真一郎; 山田, 尚人; 佐藤, 隆博; 加田, 渉; 土方, 泰斗; 児島, 一聡; -Y., Lee S.; 大島, 武; 山崎 雄一; 千葉 陽史; 牧野 高紘; 佐藤 真一郎; 山田 尚人; 佐藤 隆博; 加田 渉; 大島 武
• 出版年月日等: 2018-11-07
• 出版年（W3CDTF）: 2018-11-07
• 本文の言語コード: jpn
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 先進パワー半導体分科会 第5回講演会
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• 要約等: 炭化ケイ素半導体(SiC)中の発光中心の一つであるシリコン空孔(VSi)[1]は、温度や磁場の高感度量子センサへの応用が期待されている[2,3]。本研究では、pnダイオード内の任意位置にプロトン(H+)ビーム描画[4]によりVSiを形成、H+照射量がその光学特性に与える影響を調べた。その結果、高照射...