C60クラスターイオンビームを照射したSiとGeの表面構造

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: C60クラスターイオンビームを照射したSiとGeの表面構造
• 著者・編者: 村尾, 吉輝 (高知工科大学); 新田, 紀子 (高知工科大学); 土田, 秀次 (京都大学); 冨田, 成夫 (筑波大学); 笹, 公和 (筑波大学); 平田, 浩一 (産総研); 柴田, 裕実 (大阪大学); 星野, 靖 (神奈川大学); 平野, 貴美; 山田, 圭介; 千葉, 敦也; 齋藤, 勇一; 鳴海, 一雅; 平野 貴美; 山田 圭介; 千葉 敦也; 齋藤 勇一; 鳴海 一雅
• 著者標目: 村尾, 吉輝 (高知工科大学); 新田, 紀子 (高知工科大学); 土田, 秀次 (京都大学); 冨田, 成夫 (筑波大学); 笹, 公和 (筑波大学); 平田, 浩一 (産総研); 柴田, 裕実 (大阪大学); 星野, 靖 (神奈川大学); 平野, 貴美; 山田, 圭介; 千葉, 敦也; 齋藤, 勇一; 鳴海, 一雅; 平野 貴美; 山田 圭介; 千葉 敦也; 齋藤 勇一; 鳴海 一雅
• 出版年月日等: 2018-12-11
• 出版年（W3CDTF）: 2018-12-11
• 本文の言語コード: jpn
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: QST高崎サイエンスフェスタ2018
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• 要約等: 半導体であるGe, GaSb, InSbにイオンビーム照射(例えばGaイオン)を行うと、点欠陥の移動で表面に多孔質構造が形成されるが、Siの場合は形成されない。本研究では、高密度点欠陥生成が可能なC60イオンビームをSi(001)面に対して室温で角度を変えて照射することで、多孔質構造の形成を試みた。...