Design and Engineering of Ga2O3 MOSFETs for Next Generation Power Switches

• 資料種別: その他
• タイトル: Design and Engineering of Ga2O3 MOSFETs for Next Generation Power Switches
• 著者・編者: Hoi, Wong Man; Nakata, Yoshiaki; Sasaki, Kohei; Morikawa, Yoji; Takeyama, Akinori; 牧野, 高紘; 大島, 武; Kuramata, Akito; Yamakoshi, Shigenobu; 武山 昭憲; 牧野 高紘; 大島 武
• 著者標目: Hoi, Wong Man; Nakata, Yoshiaki; Sasaki, Kohei; Morikawa, Yoji; Takeyama, Akinori; 牧野, 高紘; 大島, 武; Kuramata, Akito; Yamakoshi, Shigenobu; 武山 昭憲; 牧野 高紘; 大島 武
• 出版年月日等: 2017-08-01
• 出版年（W3CDTF）: 2017
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: The Tenth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-10)
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• 要約等: β-Ga2O3 is being actively pursued for power switching and harsh environment electronics owing to its large bandgap of 4.5 eV and the availability of e...