ガンマ線照射が3C-SiC MOSFETの電気特性に及ぼす影響

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: ガンマ線照射が3C-SiC MOSFETの電気特性に及ぼす影響
• 著者・編者: 武山, 昭憲; 山崎, 雄一; 牧野, 高紘; 大島, 武; 永野, 耕平; 目黒, 達也; 長谷部, 史明; 黒木, 伸一郎; 田中, 保宣; Takeyama, Akinori; Yamazaki, Yuichi; Makino, Takahiro; Ohshima, Takeshi
• 著者標目: 武山, 昭憲; 山崎, 雄一; 牧野, 高紘; 大島, 武; 永野, 耕平; 目黒, 達也; 長谷部, 史明; 黒木, 伸一郎; 田中, 保宣; Takeyama, Akinori; Yamazaki, Yuichi; Makino, Takahiro; Ohshima, Takeshi
• 出版年月日等: 2019-03-08
• 出版年（W3CDTF）: 2019-03-08
• 本文の言語コード: jpn
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 平成30年度生体医歯工学共同研究拠点報告会
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• 要約等: 紫外～可視光域に吸収帯を持つ立方晶SiC (3C-SiC) を用いた金属-酸化膜-半導体 電界効果トランジスタ (MOSFET) は、耐放射線性CMOSイメージセンサへの応用が期待されているが、作製が難しく、放射線、特に透過力の強いガンマ線への耐性について調べた例は多くない。そこで本研究では、3C-...