4H -SiC 中の窒素・空孔複合欠陥の形成におけるイオン ビーム照射の影響

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: 4H -SiC 中の窒素・空孔複合欠陥の形成におけるイオン ビーム照射の影響
• 著者・編者: 楢原, 拓真; 佐藤, 真一郎; 土方, 泰斗; 大島, 武; Narahara, Takuma; Sato, Shinichiro; Ohshima, Takeshi
• 著者標目: 楢原, 拓真; 佐藤, 真一郎; 土方, 泰斗; 大島, 武; Narahara, Takuma; Sato, Shinichiro; Ohshima, Takeshi
• 出版年月日等: 2019-03-11
• 出版年（W3CDTF）: 2019-03-11
• 本文の言語コード: jpn
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 第66回応用物理学会春季学術講演会
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• 要約等: 4H -SiC 中の窒素・空孔複合欠陥（NVセンター)の形成におけるイオン ビーム照射量・イオン種依存性について調べた。窒素を含む基板では重イオンほどNVセンターが増加するが、窒素をほとんど含まない基板では窒素が最もNVセンターが多かった。これは打ち込んだ窒素自身がNVセンター形成に寄与するためと考...