MGy領域における4H-SiC JFETのガンマ線照射効果

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: MGy領域における4H-SiC JFETのガンマ線照射効果
• 著者・編者: 武山, 昭憲; 清水, 奎吾; 牧野, 高紘; 山崎, 雄一; 大島, 武; 黒木, 伸一郎; 田中, 保宣; Takeyama, Akinori; Makino, Takahiro; Yamazaki, Yuichi; Ohshima, Takeshi
• 著者標目: 武山, 昭憲; 清水, 奎吾; 牧野, 高紘; 山崎, 雄一; 大島, 武; 黒木, 伸一郎; 田中, 保宣; Takeyama, Akinori; Makino, Takahiro; Yamazaki, Yuichi; Ohshima, Takeshi
• 出版年月日等: 2019-03-09
• 出版年（W3CDTF）: 2019-03-09
• 本文の言語コード: jpn
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 第66回応用物理学会春季学術講演会参加の為
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• 要約等: 照射線量3.7 MGyまで照射した炭化ケイ素接合型トランジスタ(SiC JFET)のしきい値電圧Vthは、未照射試料とほぼ変わらなかった。またリーク電流や、チャネル領域への欠陥生成による抵抗の著しい増加も確認されなかった。一方、過去に報告されている市販レベル電界効果トランジスタ(MOSFET)では、...