放射光その場X線回折を用いたIoT関連半導体材料の構造解析

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: 放射光その場X線回折を用いたIoT関連半導体材料の構造解析
• 著者・編者: 佐々木, 拓生; 高橋, 正光; Sasaki, Takuo; Takahashi, Masamitsu
• 著者標目: 佐々木, 拓生; 高橋, 正光; Sasaki, Takuo; Takahashi, Masamitsu
• 出版年月日等: 2019-06-17
• 出版年（W3CDTF）: 2019-06-17
• 本文の言語コード: jpn
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 日本顕微鏡学会第７５回学術講演会
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• 要約等: IoT（Internet of Things）の普及とともに無線通信用の高周波デバイスやLED・レーザなどの光デバイス、そして各種センサーの高性能化、高機能化も求められている。特に窒化ガリウム（GaN）に代表される窒化物半導体は従来のシリコン（Si）やガリウムヒ素（GaAs）を凌駕する優れた物性値を...