Creation of nitrogen-vacancy centers in SiC by ion irradiation

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: Creation of nitrogen-vacancy centers in SiC by ion irradiation
• 著者・編者: Ohshima, Takeshi; Sato, Shinichiro; Narahara, Takuma; Yamazaki, Yuichi; Abe, Yuta; Umeda, Takehide; Hijikata, Yasuto
• 著者標目: Ohshima, Takeshi; Sato, Shinichiro; Narahara, Takuma; Yamazaki, Yuichi; Abe, Yuta; Umeda, Takehide; Hijikata, Yasuto
• 出版年月日等: 2019-07-22
• 出版年（W3CDTF）: 2019-07-22
• 本文の言語コード: eng
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 30th International Conference on Defects in Smiconductors (ICDS-30)
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• 要約等: Color centers which act as stable single photon emitters (SPEs) in wide bandgap semiconductors are key elements for quantum technologies. Silicon carb...