Impact of electron-beam irradiation on the performance of β-Ga2O3 Schottky barrier diodes

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: Impact of electron-beam irradiation on the performance of β-Ga2O3 Schottky barrier diodes
• 著者・編者: C.-H., Lin; Takeyama, Akinori; Sato, M.; Takekawa, N.; Konishi, K.; Yuda, Y.; Watahiki, T.; Yamamuka, M.; Murakami, H.; Kumagai, Y.; Ohshima, Takeshi; Higashiwaki, M.
• 著者標目: C.-H., Lin; Takeyama, Akinori; Sato, M.; Takekawa, N.; Konishi, K.; Yuda, Y.; Watahiki, T.; Yamamuka, M.; Murakami, H.; Kumagai, Y.; Ohshima, Takeshi; Higashiwaki, M.
• 出版年月日等: 2019-08-14
• 出版年（W3CDTF）: 2019-08-14
• 本文の言語コード: eng
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: The 3rd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-3)
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• 要約等: Gallium oxide (Ga2O3) is expected to have high radiation tolerance owing to their strong bond strengths and thus promising for the fabrication of robu...