Effects of Nitrogen Impurity Concentration on Nitrogen-Vacancy Center Formation in 4H-SiC

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: Effects of Nitrogen Impurity Concentration on Nitrogen-Vacancy Center Formation in 4H-SiC
• 著者・編者: Narahara, Takuma; Sato, Shinichiro; Kojima, Kazutoshi; Yamazaki, Yuichi; Hijikata, Yasuto; Ohshima, Takeshi
• 著者標目: Narahara, Takuma; Sato, Shinichiro; Kojima, Kazutoshi; Yamazaki, Yuichi; Hijikata, Yasuto; Ohshima, Takeshi
• 出版年月日等: 2019-10-01
• 出版年（W3CDTF）: 2019-10-01
• 本文の言語コード: eng
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• 要約等: We investigated the effect of nitrogen concentration of 4H-SiC epilayer on the near-infrared (NIR) photoluminescence (PL) intensities from nitrogen-va...