ノーマリーオフ型4H-SiC JFETのガンマ線耐性

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: ノーマリーオフ型4H-SiC JFETのガンマ線耐性
• 著者・編者: 武山, 昭憲; 清水, 奎吾; 牧野, 高紘; 山崎, 雄一; 大島, 武; 黒木, 伸一郎; 田中, 保宣; Takeyama, Akinori; Makino, Takahiro; Yamazaki, Yuichi; Ohshima, Takeshi
• 著者標目: 武山, 昭憲; 清水, 奎吾; 牧野, 高紘; 山崎, 雄一; 大島, 武; 黒木, 伸一郎; 田中, 保宣; Takeyama, Akinori; Makino, Takahiro; Yamazaki, Yuichi; Ohshima, Takeshi
• 出版年月日等: 2019-12-04
• 出版年（W3CDTF）: 2019-12-04
• 本文の言語コード: jpn
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 先進パワー半導体分科会 第6回講演会
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• 要約等: ノーマリーオフ型の炭化ケイ素接合型電解効果トランジスタ (SiC JFET) は、ゲート酸化膜を持たず、ガンマ線照射によるしきい値電圧(Vth)シフトが小さい耐放射線性素子として期待されている。そこで5.6MGy(H2O)までガンマ線を照射し、電気特性劣化を調べた。照射後もVthの顕著なシフトは見ら...