SiC結晶中シリコン空孔の光検出磁気共鳴信号にアニール温度が及ぼす影響

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: SiC結晶中シリコン空孔の光検出磁気共鳴信号にアニール温度が及ぼす影響
• 著者・編者: 千葉, 陽史; 山崎, 雄一; 佐藤, 真一郎; 牧野, 高紘; 山田, 尚人; 佐藤, 隆博; 土方, 泰斗; 大島, 武; Chiba, Yoji; Yamazaki, Yuichi; Sato, Shinichiro; Makino, Takahiro; Yamada, Naoto; Sato, Takahiro; Ohshima, Takeshi
• 著者標目: 千葉, 陽史; 山崎, 雄一; 佐藤, 真一郎; 牧野, 高紘; 山田, 尚人; 佐藤, 隆博; 土方, 泰斗; 大島, 武; Chiba, Yoji; Yamazaki, Yuichi; Sato, Shinichiro; Makino, Takahiro; Yamada, Naoto; Sato, Takahiro; Ohshima, Takeshi
• 出版年月日等: 2019-12-04
• 出版年（W3CDTF）: 2019-12-04
• 本文の言語コード: jpn
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 先進パワー半導体分科会 第6回講演会
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• 要約等: SiC結晶中シリコン空孔(VSi)の光検出磁気共鳴(ODMR)信号にアニール温度が及ぼす影響を調べた。600 °Cでのアニール後、ODMR信号コントラストは最大となった。アニールに対する欠陥の振る舞いと欠陥準位より、EH3センターといった他の欠陥の減少がコントラストの増加に寄与したと考えられる。（提...