半導体表面におけるポジトロニウム生成

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: 半導体表面におけるポジトロニウム生成
• 著者・編者: 河裾, 厚男; 宮下, 敦巳; 前川, 雅樹; 和田, 健; 長嶋, 泰之; 飯田, 進平; 岩森, 大直; Kawasuso, Atsuo; Miyashita, Atsumi; Maekawa, Masaki
• 著者標目: 河裾, 厚男; 宮下, 敦巳; 前川, 雅樹; 和田, 健; 長嶋, 泰之; 飯田, 進平; 岩森, 大直; Kawasuso, Atsuo; Miyashita, Atsumi; Maekawa, Masaki
• 出版年月日等: 2020-12-11
• 出版年（W3CDTF）: 2020-12-11
• 本文の言語コード: jpn
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 京都大学複合原子力科学研究所専門研究会 「陽電子科学とその理工学への応用」
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• 要約等: 数年前より、物質からのポジトロニウム放出の研究を開始した。その発端は、表面ポジトロニウムによる分析技術を確立する上で、ポジトロニウム放出のメカニズムを詳しく知る必要性が生じたからである。当初は金属を主な研究ターゲットにしていたが、研究が進む中で、半導体表面からのポジトロニウム放出現象が、十分に解明さ...