窒化ガリウムナノピラー中プラセオジム(Pr)の室温での発光強度増幅

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: 窒化ガリウムナノピラー中プラセオジム(Pr)の室温での発光強度増幅
• 著者・編者: 佐藤, 真一郎; 出来, 真斗; Li, Shuo; 渡邉, 浩崇; 新田, 州吾; 本田, 善央; 西村, 智朗; D. Greentree, Andrew; C. Gibson, Brant; 天野, 浩; 大島, 武; Sato, Shinichiro; Ohshima, Takeshi
• 著者標目: 佐藤, 真一郎; 出来, 真斗; Li, Shuo; 渡邉, 浩崇; 新田, 州吾; 本田, 善央; 西村, 智朗; D. Greentree, Andrew; C. Gibson, Brant; 天野, 浩; 大島, 武; Sato, Shinichiro; Ohshima, Takeshi
• 出版年月日等: 2020-03-14
• 出版年（W3CDTF）: 2020-03-14
• 本文の言語コード: jpn
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 第67回応用物理学会春季学術講演会
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• 要約等: 窒化ガリウム半導体(GaN)中の孤立したランタノイドは、室温でも狭い線幅で高輝度の発光を示すことから、単一光子源への応用が期待できる。Prイオン注入したGaN上に様々なサイズのナノピラー構造を形成し、ピラー中Pr3+の3P0 → 3F2遷移に起因する652 nm付近の発光を室温で観察したところ、ピラ...