置換窒素(P1)と電子線照射による NV センター荷電状態比(NV-/NV0)制御

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: 置換窒素(P1)と電子線照射による NV センター荷電状態比(NV-/NV0)制御
• 著者・編者: 真栄, 力; 宮川, 仁; 谷口, 尚; 小野田, 忍; 石井, 秀弥; 寺地, 徳之; Shinobu, Onoda; Shuya, Ishii
• 著者標目: 真栄, 力; 宮川, 仁; 谷口, 尚; 小野田, 忍; 石井, 秀弥; 寺地, 徳之; Shinobu, Onoda; Shuya, Ishii
• 出版年月日等: 2021-01-12
• 出版年（W3CDTF）: 2021-01-12
• 本文の言語コード: jpn
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 第34回 ダイヤモンドシンポジウム
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• 要約等: ダイヤモンド中のNVセンターのマイナス荷電状態は２つの異なるスピン状態の間で蛍光強度に差を持つ(30％程度)。この特徴を使って、２つのスピン状態を重ねわせた時の蛍光強度によって外部場の検出をすることが可能である。また、その重ね合わせの保持時間(T2)は室温で最長であり、量子センサーへの応用研究が盛ん...