Behavior of Leakage Current in SiC MOS Capacitors Introduced by Heavy Ions

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: Behavior of Leakage Current in SiC MOS Capacitors Introduced by Heavy Ions
• 著者・編者: Takahashi, Misa; Nakada, Yuki; Mizuta, Eiichi; Shindo, Hiroyuki; Senzaki, Junji; Akinori, Takeyama; Takahiro, Makino; Takeshi, Ohshima; Yoshiyuki, Iwata; Kuboyama, Satoshi
• 著者標目: Takahashi, Misa; Nakada, Yuki; Mizuta, Eiichi; Shindo, Hiroyuki; Senzaki, Junji; Akinori, Takeyama; Takahiro, Makino; Takeshi, Ohshima; Yoshiyuki, Iwata; Kuboyama, Satoshi
• 出版年月日等: 2020-12-08
• 出版年（W3CDTF）: 2020-12-08
• 本文の言語コード: eng
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: Nuclear & Space Radiation Effects Conference 2020( NSREC 2020)
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• 要約等: Gradual increase in leakage current introduced by heavy ions irradiation was observed for silicon carbide metal-oxide-semiconductor (SiC MOS) capacito...