GaN(0001)表面における ポジトロニウム生成

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: GaN(0001)表面における ポジトロニウム生成
• 著者・編者: 河裾, 厚男; 河裾; 前川, 雅樹; 宮下, 敦巳; 和田, 健; 長嶋, 泰之; 石田, 明; Atsuo, Kawasuso; Masaki, Maekawa; Atsumi, Miyashita
• 著者標目: 河裾, 厚男; 河裾; 前川, 雅樹; 宮下, 敦巳; 和田, 健; 長嶋, 泰之; 石田, 明; Atsuo, Kawasuso; Masaki, Maekawa; Atsumi, Miyashita
• 出版年月日等: 2021-07-09
• 出版年（W3CDTF）: 2021-07-09
• 本文の言語コード: jpn
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 第58回アイソトープ・放射線研究発表会
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• 要約等: 固体表面からのポジトロニウム放出の研究では、主に金属や絶縁体が調べられて来たが、半導体に関する研究例は極めて少ない。半導体には、励起型（間接・直接励起）、バンドギャップ（100meV～10eV）、伝導型（n型、p型、半絶縁性）、そして、強いスピン軌道相互作用の有無によって様々な違いがある。半導体には...