Vドープ4H-SiC単結晶薄膜の半絶縁性に対する不純物の影響

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: Vドープ4H-SiC単結晶薄膜の半絶縁性に対する不純物の影響
• 著者・編者: 児島, 一聡; 佐藤, 真一郎; 大島, 武; 黒木, 伸一郎; 山口, 浩; Shinichiro, Sato; Takeshi, Ohshima
• 著者標目: 児島, 一聡; 佐藤, 真一郎; 大島, 武; 黒木, 伸一郎; 山口, 浩; Shinichiro, Sato; Takeshi, Ohshima
• 出版年月日等: 2021-09-10
• 出版年（W3CDTF）: 2021-09-10
• 本文の言語コード: jpn
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 第82回応用物理学会秋季学術講演会
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• 要約等: 4Hあるいは6H-SiCにおける半絶縁性はバナジウム（V）ドーピングあるいは点欠陥の導入によりこれらがキャリアトラップとして作用・発現することが知られており、半絶縁性SiCバルク単結晶として入手が可能である。本研究では4H-SiC CMOS構造あるは層間絶縁膜へのVドープ半絶縁性エピタキシャル層の適...