耐放射線 CMOSイメージセンサに向けたSOI Si/4H SiC ハイブリッド画素素子の出力特性

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: 耐放射線 CMOSイメージセンサに向けたSOI Si/4H SiC ハイブリッド画素素子の出力特性
• 著者・編者: 目黒, 達也; 堤, 将之; 武山, 昭憲; 大島, 武; 田中, 保宣; 黒木, 伸一郎; Akinori, Takeyama; Takeshi, Ohshima
• 著者標目: 目黒, 達也; 堤, 将之; 武山, 昭憲; 大島, 武; 田中, 保宣; 黒木, 伸一郎; Akinori, Takeyama; Takeshi, Ohshima
• 出版年月日等: 2021-09-11
• 出版年（W3CDTF）: 2021-09-11
• 並列タイトル等: Output characteristics of SOI Si/4H SiC hybrid pixel devices for radiation hardened CMOS image sensors
• 本文の言語コード: jpn
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 第82回応用物理学会秋季学術講演会
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• 要約等: 原子力発電所の廃炉作業に投入される作業ロボットの稼働時間は、主にカメラに搭載されるイメージセンサが故障するまでの時間で制限される。特にフォトダイオードからの信号を増幅するCMOSに用いられるシリコン(Si)金属‐酸化膜-半導体電界効果トランジスタ(Si-MOSFET)は放射線の影響を受けやすいことが...