SiC MOSFETへのガンマ線照射効果研究

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: SiC MOSFETへのガンマ線照射効果研究
• 著者・編者: 牧野, 高紘; 武山, 昭憲; 小野田, 忍; 土方, 泰斗; 大島, 武; Takahiro, Makino; Akinori, Takeyama; Shinobu, Onoda; Takeshi, Ohshima
• 著者標目: 牧野, 高紘; 武山, 昭憲; 小野田, 忍; 土方, 泰斗; 大島, 武; Takahiro, Makino; Akinori, Takeyama; Shinobu, Onoda; Takeshi, Ohshima
• 出版年月日等: 2021-09-10
• 出版年（W3CDTF）: 2021-09-10
• 本文の言語コード: jpn
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 第82回 応用物理学会秋季学術講演会
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• 要約等: 炭化ケイ素(SiC)は，その優れた物性値から，低損失な次世代パワーデバイスや次世代の宇宙や原子力・加器施設用の耐環境・極限エレクトロニクスへの応用が期待されている．講演では，まずSiC半導体デバイスの耐放射線性研究のための一般的知見として，市販されているSiC-MOSFETとSi-MOSFET に対...