シリコン窒化膜を用いた高性能不揮発性メモリに向けた第一原理計算による設計指針の提案
デジタルデータあり（名古屋大学学術機関リポジトリ）
すぐに読む
学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
書店で探す
全国の図書館の所蔵
国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。
所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください
その他
名古屋大学学術機関リポジトリ
デジタル連携先のサイトで、学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）が連携している機関・データベースの所蔵状況を確認できます。名古屋大学学術機関リポジトリのサイトで この本を確認
書店で探す
書誌情報
この資料の詳細や典拠（同じ主題の資料を指すキーワード、著者名）等を確認できます。
- 資料種別
- 博士論文
- 著者・編者
- 山口, 慶太
- 著者標目
- 出版年月日等
- 2019-03-25
- 出版年（W3CDTF）
- 2019-03-25
- 並列タイトル等
- Design guidelines based on first principle calculations for high performance nonvolatile memories using silicon nitride film
- 授与機関名
- 名古屋大学
- 授与年月日
- 2019-03-25
- 報告番号
- 甲第12798号