Study on Gan-based Materials and Devices Grown by MOCVD

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資料種別: 博士論文
タイトル: Study on Gan-based Materials and Devices Grown by MOCVD
著者・編者: Pum Chian, Khai
著者標目: Pum Chian, Khai
並列タイトル等: MOCVD法を用いて成長した窒化ガリウム系材料およびデバイスに関する研究
授与機関名: 名古屋工業大学
授与年月日: 2012-03-30
報告番号: 甲第846号
学位: 博士(工学)
本文の言語コード: eng
件名標目: MOCVD
GaN-based Materials
Photodiodes
Photodetectors
対象利用者: 一般
一般注記: 主査：江川　孝志
記録形式（IMT）: application/pdf
一次資料へのリンクURL: fulltext
https://nitech.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=3021&item_no=1&attribute_id=13&file_no=1
fulltext
https://nitech.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=3021&item_no=1&attribute_id=13&file_no=2
オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
提供元機関・データベース: 名古屋工業大学 : 名古屋工業大学学術機関リポジトリ