誘導結合型水素プラズマによりシリコン酸化膜に導入される損傷に関する基礎的研究

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: 誘導結合型水素プラズマによりシリコン酸化膜に導入される損傷に関する基礎的研究
• 著者・編者: 池田, 晃裕
• 著者標目: 池田, 晃裕 イケダ, アキヒロ
• 出版年月日等: 1999-03-25
• 出版年（W3CDTF）: 1999-03-25
• 授与機関名: 九州大学; Kyushu University
• 授与年月日: 1999-03-25
• 報告番号: 甲第4805号
• 学位: 博士（工学）
• 本文の言語コード: jpn
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 出版タイプ： VoR; 主1-参1; システム情報_電子デバイス工学
• DOI: 10.11501/3150903; https://doi.org/10.11501/3150903
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• 一次資料へのリンクURL: ikeda.pdf （fulltext）; https://catalog.lib.kyushu-u.ac.jp/opac_download_md/22103/ikeda.pdf
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 関連情報（URI）: URI; https://dl.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/3150903
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 九州大学 : 九州大学学術情報リポジトリ

目次

第1章 序論 第2章 水素プラズマのプラズマパラメータ評価 第3章 水素プラズマによるレジスト､SiO_2のエッチングレート､及びSi基板へのH侵入の評価 第4章 水素プラズマの照射照射がシリコン酸化膜の電気特性に与える影響 5章 結論