並列タイトル等キャリア ノウド セイギョ ニ モトズク ユウキ トランジスタ ノ デバイス セッケイ ト スケーリングソク ノ カクリツ
Kyaria nodo seigyo ni motozuku yuki toranjisuta no debaisu sekkei to sukeringusoku no kakuritsu
Establishment of device design and scaling for organic transistors with carrier concentration control
一般注記type:text
有機電界効果トランジスタ(OFET)の高性能化に向けて、分子性ドーパントによる電荷ドーピングを活用した新しい素子構造を提案し、デバイスシミュレーション及び実験の両面からその有用性を実証した。また、デバイススケーリング則の確立に向けて、現実のOFETデバイスに必ず存在するキャリア注入障壁(ショットキー障壁)を考慮したデバイスシミュレーションを新たに実施すると共に、単一素子の電気特性のみを用いて、ゲート電圧に依存した接触抵抗やチャネルパラメータ(電界効果移動度など)を分離抽出して評価する方法を新たに考案した。
Device structures utilizing charge carrier doping with molecular dopants were newly proposed for improving and controlling device performance of organic field-effect transistors (OFETs), and those availabilities were confirmed by both device simulations and experiments. In addition, toward establishing device scaling rules, a new methodology for extracting gate-voltage-dependent contact resistance and channel parameters (e.g., field-effect mobility) from the electrical characteristics of a single OFET device was developed as well as a new device simulation technique considering carrier injection barriers (Schottky barriers) for realistic OFET devices.
研究種目 : 挑戦的萌芽研究
研究期間 : 2012~2013
課題番号 : 24656205
研究分野 : 電気電子工学
科研費の分科・細目 : 電子・電気材料工学
一次資料へのリンクURLhttps://koara.lib.keio.ac.jp/xoonips/modules/xoonips/download.php?koara_id=KAKEN_24656205seika
連携機関・データベース国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース(IRDB)(機関リポジトリ)