キャリア濃度制御に基づく有機トランジスタのデバイス設計とスケーリング則の確立

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: キャリア濃度制御に基づく有機トランジスタのデバイス設計とスケーリング則の確立
• 著者・編者: 野田, 啓; 和田, 恭雄; 山田, 啓文
• 著者標目: 野田, 啓; 和田, 恭雄; 山田, 啓文
• 出版年月日等: 2013
• 出版年（W3CDTF）: 2013
• 並列タイトル等: キャリア ノウド セイギョ ニ モトズク ユウキ トランジスタ ノ デバイス セッケイ ト スケーリングソク ノ カクリツ; Kyaria nodo seigyo ni motozuku yuki toranjisuta no debaisu sekkei to sukeringusoku no kakuritsu; Establishment of device design and scaling for organic transistors with carrier concentration control
• タイトル（掲載誌）: 科学研究費補助金研究成果報告書
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 有機トランジスタ,電荷ドーピング,キャリア濃度,デバイスシミュレーション
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: type:text; 有機電界効果トランジスタ(OFET)の高性能化に向けて、分子性ドーパントによる電荷ドーピングを活用した新しい素子構造を提案し、デバイスシミュレーション及び実験の両面からその有用性を実証した。また、デバイススケーリング則の確立に向けて、現実のOFETデバイスに必ず存在するキャリア注入障壁(ショットキー障壁)を考慮したデバイスシミュレーションを新たに実施すると共に、単一素子の電気特性のみを用いて、ゲート電圧に依存した接触抵抗やチャネルパラメータ(電界効果移動度など)を分離抽出して評価する方法を新たに考案した。 Device structures utilizing charge carrier doping with molecular dopants were newly proposed for improving and controlling device performance of organic field-effect transistors (OFETs), and those availabilities were confirmed by both device simulations and experiments. In addition, toward establishing device scaling rules, a new methodology for extracting gate-voltage-dependent contact resistance and channel parameters (e.g., field-effect mobility) from the electrical characteristics of a single OFET device was developed as well as a new device simulation technique considering carrier injection barriers (Schottky barriers) for realistic OFET devices.; 研究種目 : 挑戦的萌芽研究 研究期間 : 2012～2013 課題番号 : 24656205 研究分野 : 電気電子工学 科研費の分科・細目 : 電子・電気材料工学
• 一次資料へのリンクURL: https://koara.lib.keio.ac.jp/xoonips/modules/xoonips/download.php?koara_id=KAKEN_24656205seika
• オンライン閲覧公開範囲: 限定公開
• 関連情報: 科研費研究者番号 : 30372569; 科研費研究者番号 : 50386736; 科研費研究者番号 : 40283626
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 慶應義塾大学 : 慶應義塾大学学術情報リポジトリ