並列タイトル等Scanning probe microscopy analysis of the changes in force and electric current with the collapse of tunneling barrier between two bodies at closer separation
タイトル（掲載誌）平成26(2014)年度 科学研究費補助金 基盤研究(B) 研究成果報告書 = 2014 Fiscal Year Final Research Report
一般注記金沢大学理工研究域数物科学系
本研究では、独自開発した非接触原子間力顕微鏡/走査型トンネル顕微鏡を活用して２つの物体を接近させ、さらには接触するまで精密に近づけ、２物体間に働く力、および、流れる電流の印加電圧応答と距離依存性を計測した。この結果から、２物体の結合の形成過程におけるトンネル障壁の崩壊の影響を考察した。Si-Siの共有結合では探針試料間に電圧を印加し、表面準位を合わせ、量子力学共鳴状態を作り、共有結合力とトンネル電流の関係を解析した。水素吸着SiアドアトムとSi探針原子間で、水素結合を計測し、その1結合の結合エネルギーを見積もった。
In this study, we measured the force and electric current as well as their dependences on the applied bias voltage and the separation between two bodies, which were brought closer and in contact using a lab-made system of noncontact atomic force microscopy combined with scanning tunneling microscopy. From the obtained results, we discussed the effects of collapse of tunneling barrier during the process of bond formation between them. For the covalent bond between Si atoms, we analyzed the relationship between the strength of the covalent bond and the tunneling current by applying the bias voltage between a tip and a Si sample, while the surface states on both sides were energetically tuned under the bias voltage, leading to a quantum mechanical resonating state. For an H-terminated Si adatom and a Si atom on the tip, we measured the strength of hydrogen bond between them, and evaluated the binding energy of the hydrogen bond.
研究課題/領域番号:24340068, 研究期間(年度):2012-04-01 - 2015-03-31
関連情報https://kaken.nii.ac.jp/search/?qm=20250235
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24340068/
https://kaken.nii.ac.jp/report/KAKENHI-PROJECT-24340068/24340068seika/
連携機関・データベース国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）