高効率3接合太陽電池に関する研究

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: 高効率3接合太陽電池に関する研究
• 著者・編者: 今泉, 充; 住田, 泰史; 桑島, 三郎; Imaizumi, Mitsuru; Sumita, Taishi; Kuwajima, Saburo
• 著者標目: 今泉, 充; 住田, 泰史; 桑島, 三郎; Imaizumi, Mitsuru; Sumita, Taishi; Kuwajima, Saburo
• 出版事項: 宇宙航空研究開発機構
• 出版年月日等: 2004-10-29
• 出版年（W3CDTF）: 2004-10-29
• 並列タイトル等: Study on high efficiency triple-junction solar cells
• タイトル（掲載誌）: 宇宙航空研究開発機構研究開発資料: 平成15年度総合技術研究本部宇宙領域研究成果報告書:衛星系 = JAXA Research and Development Memorandum: FY15 Annual Report of Research & Development on Space Technology in the Institute of Space Technology and Aeronautics: Satellite System
• 巻号年月日等（掲載誌）: JAXA-RM-04-010
• 掲載巻: JAXA-RM-04-010
• 掲載ページ: 61-64
• ISSN（掲載誌）: ISSN : 1349-1121
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 太陽電池; 放射線耐性; InGaP; GaAs; 劣化; Ge; 陽子照射; 宇宙機装置; solar cell; radiation tolerance; degradation; proton irradiation; spacecraft equipment
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: The radiation responses of InGaP, (In)GaAs and Ge single-junction sub-cells in a triple-junction space solar cell are studied in order to develop a device simulator which predicts the EOL performance of space solar cells. InGaP top-cells exhibit no significant difference in radiation degradation trends between AM0 light and dark conditions during irradiation. The radiation tolerance of (In)GaAs middle-cells degrades with increasing indium content. However, the absolute value of Isc for a higher In content cell still exceeds that of a GaAs (In = 0 percent) cell after irradiation. Ge bottom-cells exhibit good radiation tolerance as expected. This study is the first to reveal precise radiation response of the sub-cells.; 資料番号: AA0048057013; レポート番号: JAXA-RM-04-010
• オンライン閲覧公開範囲: 限定公開
• 掲載誌（NCID）: AA11983593; https://ci.nii.ac.jp/ncid/AA11983593
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 宇宙航空研究開発機構 : 宇宙航空研究開発機構リポジトリ