SSPS用高効率・高出力半導体デバイスの試作結果:宇宙エネルギー利用システムの研究

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: SSPS用高効率・高出力半導体デバイスの試作結果:宇宙エネルギー利用システムの研究
• 著者・編者: 久田, 安正; 藤田, 辰人; Hisada, Yasumasa; Fujita, Tatsuhito
• 著者標目: 久田, 安正; 藤田, 辰人; Hisada, Yasumasa; Fujita, Tatsuhito
• 出版事項: 宇宙航空研究開発機構
• 出版年月日等: 2006-11-01
• 出版年（W3CDTF）: 2006-11-01
• 並列タイトル等: The first test result of GaN semiconductor devices for SSPS: A study of the space energy utilization
• タイトル（掲載誌）: 宇宙航空研究開発機構特別資料: 平成18年度 宇宙航空研究開発機構 総合技術研究本部 宇宙科学研究本部 研究成果報告書 = JAXA Special Publication: Report on Research Achievements for FY2006 Institute of Space and Astronautical Science, Institute of Aerospace Technology, Japan Aerospace Exploration Agency
• 巻号年月日等（掲載誌）: JAXA-SP-06-006
• 掲載巻: JAXA-SP-06-006
• 掲載ページ: 171-172
• ISSN（掲載誌）: ISSN : 1349-113X
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 宇宙太陽光利用システム; マイクロ波パワービーミング; 電力増幅器; マグネトロン; 半導体装置; 窒化ガリウム; 気相エピタキシー; 結晶成長; 太陽電池; space solar power system; microwave power beaming; power amplifier; magnetron; semiconductor device; gallium nitride; vapor phase epitaxy; crystal growth; solar cell
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: One of the SSPS Type is the microwave based power transmission (MPT) system: 'M-SSPS' For the M-SSPS, Hi-power and Hi-efficiency semiconductor device are need. In this paper, we describe R & D Program of GaN semiconductor device and the first test result of GaN semiconductor devices for M-SSPS.; 資料番号: AA0049500037; レポート番号: JAXA-SP-06-006
• オンライン閲覧公開範囲: 限定公開
• 掲載誌（NCID）: AA11984031; https://ci.nii.ac.jp/ncid/AA11984031
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 宇宙航空研究開発機構 : 宇宙航空研究開発機構リポジトリ