文書・図像類

Investigation of preparation methods of InGaAs materials for crystal growth

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Investigation of preparation methods of InGaAs materials for crystal growth

資料種別
文書・図像類
著者
住友電気工業ほか
出版者
宇宙航空研究開発機構
出版年
2004-03-25
資料形態
デジタル
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

今期は、1)平均組成x=0.3〜0.4の傾斜組成分布を持つ長さ150mmの組成的過冷却のない傾斜組成多結晶原料を3本製作した。この原料から組成分布をRaman散乱により非破壊で測定し一端のIn組成が0.8以上になるように試料を切り出した。試料形状は直径10mm、長さ100mmである。これらの試料をT...

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書誌情報

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デジタル

資料種別
文書・図像類
著者・編者
住友電気工業
Sumitomo Electric Industries Ltd.
出版年月日等
2004-03-25
出版年(W3CDTF)
2004-03-25
並列タイトル等
InGaAs結晶成長用原料作製法の検討
タイトル(掲載誌)
宇宙航空研究開発機構契約報告 = JAXA Contract Report
巻号年月日等(掲載誌)
JAXA-CR-03-002E