Development of the Space Use Power MOSFETs of 100-250V class

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: Development of the Space Use Power MOSFETs of 100-250V class
• 著者・編者: 小林, 孝; 井上, 正範; 桐畑, 文明; 久保山, 智司; 池田, 直美; Kobayashi, Takashi; Inoue, Masanori; Kirihata, Humiaki; Kuboyama, Satoshi; Ikeda, Naomi
• 著者標目: 小林, 孝; 井上, 正範; 桐畑, 文明; 久保山, 智司; 池田, 直美; Kobayashi, Takashi; Inoue, Masanori; Kirihata, Humiaki; Kuboyama, Satoshi; Ikeda, Naomi
• 出版事項: 宇宙航空研究開発機構(JAXA)
• 出版年月日等: 2005-10
• 出版年（W3CDTF）: 2005-10
• 並列タイトル等: 宇宙用パワーMOSFET 100-250Vクラスの開発
• 掲載ページ: 1-20
• 本文の言語コード: eng
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 第18回マイクロエレクトロニクス・ワークショップ(2005年10月27-28日); 資料番号: ARDS05365000
• 関連情報: https://eeepitnl.tksc.jaxa.jp/mews/en/18th/text/203_kobayashi.pdf
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 宇宙航空研究開発機構 : 宇宙航空研究開発機構リポジトリ