The wettability and reaction of liquid silicon to various refractory materials

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: The wettability and reaction of liquid silicon to various refractory materials
• 著者・編者: 寺嶋, 一高; 松本, 健; 西村, 鈴香; 正木, 匡彦; 伊丹, 俊夫; Terashima, Kazutaka; Matsumoto, Takeshi; Nishimura, Suzuka; Masaki, Tadahiko; Itami, Toshio
• 著者標目: 寺嶋, 一高; 松本, 健; 西村, 鈴香; 正木, 匡彦; 伊丹, 俊夫; Terashima, Kazutaka; Matsumoto, Takeshi; Nishimura, Suzuka; Masaki, Tadahiko; Itami, Toshio
• 出版事項: 宇宙開発事業団
• 出版年月日等: 2001-03-01
• 出版年（W3CDTF）: 2001-03-01
• 並列タイトル等: 各種耐火材に対する液状シリコンの湿潤性と反応
• タイトル（掲載誌）: 宇宙開発事業団技術報告 = NASDA Technical Memorandum
• 掲載ページ: 125-129
• ISSN（掲載誌）: ISSN : 1345-7888
• 本文の言語コード: eng
• 件名標目: 液状シリコン; 耐火材; 湿潤性; 窒化ほう素基板; シリコン融液; 接触角; SIMS; 2次イオン質量分析; ほう素原子; 固溶限界; liquid silicon; refractory material; wettability; boron nitride substrate; silicon melt; contact angle; secondary ion mass spectrograph; boron atom; solubility limit
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 窒化ほう素基板へのシリコン融液の湿潤性を温度および保持時間の関数として検討した。接触角は接触開始から減少し、150分後にはほぼ定値に達することが分かった。2次イオン質量分析(SIMS)の結果は、ほう素原子が1.5×10(exp 20)原子/立方センチメートルまでのシリコン液滴中では高い混合比を示した。この結果は、窒化ほう素基板はシリコン融液内のほう素濃度が固溶限界に達するまで、液状シリコンと化学的に反応することを示している。; The wettability of silicon melts to BN substrates has been studied as functions of temperature and holding time. It has been found that the contact angle decreased from the beginning of the contact and after 150 minutes it reached an almost constant value. The Secondary Ion Mass Spectrograph (SIMS) analyses indicated that boron atoms are highly incorporated into silicon droplet up to 1.5 x 10(exp 20) atoms/cu cm. This result suggests that the BN substrate react chemically with liquid silicon until the boron concentration in silicon melts becomes the solubility limit.; 資料番号: AA0029039017; レポート番号: NASDA-TMR-000013E
• オンライン閲覧公開範囲: 限定公開
• 掲載誌（NCID）: AN00364784; https://ci.nii.ac.jp/ncid/AN00364784
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 宇宙航空研究開発機構 : 宇宙航空研究開発機構リポジトリ