並列タイトル等濃度勾配部分溶融法とそのIn(x)Ga(1-x)Asへの応用についての定性的記述
タイトル(掲載誌)NASDA Technical Memorandum
一般注記濃度勾配部分溶解(CGPM)法で起こると期待される固液反応を熱力学に基づいて定性的に調べた。得られた知見を元に、CGPMでの可能な過程について定性的に記述した。さらに、均質なIn(x)Ga(1-x)As(x=0.3)結晶を得るためにCGPMを応用する条件を明らかにする目的で、定量的な評価を行った。
Solid-liquid reactions, which are expected to occur in Concentration Gradient Partial Melting (CGPM) method, were examined qualitatively on the basis of the thermodynamics. Using the obtained knowledge, possible processes in CGPM were described qualitatively. In addition, quantitative estimation was carried out to clarify conditions for utilizing CGPM to obtain homogeneous In(x)Ga(1-x)As crystals with x value of 0.3.
資料番号: AA0029300002
レポート番号: NASDA-TMR-000007E
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連携機関・データベース国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース(IRDB)(機関リポジトリ)
提供元機関・データベース宇宙航空研究開発機構 : 宇宙航空研究開発機構リポジトリ