Measurements of thermal diffusivity of molten InGaAs by the laser flash method

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: Measurements of thermal diffusivity of molten InGaAs by the laser flash method
• 著者・編者: 長島, 敏夫; 加藤, 浩和; 林, 義雄; 木下, 恭一; Nagashima, Toshio; Kato, Hirokazu; Hayashi, Yoshio; Hayakawa, Harunobu; Kinoshita, Kyoichi
• 著者標目: 長島, 敏夫; 加藤, 浩和; 林, 義雄; 木下, 恭一; Nagashima, Toshio; Kato, Hirokazu; Hayashi, Yoshio; Hayakawa, Harunobu; Kinoshita, Kyoichi
• 出版事項: 宇宙開発事業団
• 出版年月日等: 2000-09-29
• 出版年（W3CDTF）: 2000-09-29
• 並列タイトル等: レーザーフラッシュ法による溶融InGaAsの熱拡散率の測定
• タイトル（掲載誌）: 宇宙開発事業団技術報告 = NASDA Technical Memorandum
• 掲載ページ: 51-54
• ISSN（掲載誌）: ISSN : 1345-7888
• 本文の言語コード: eng
• 件名標目: 熱拡散率; レーザ・フラッシュ法; In(0.8)Ga(0.2)As; 黒鉛円盤; 砒素; 高速IC; 光電材料; レーザダイオード; 単結晶; 透明クオーツ容器; 高蒸気圧; thermal diffusivity; laser flash method; graphite disk; arsenic; high speed IC; optoelectronic material; laser diode; monocrystal; transparent quartz container; high vapor pressure
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 溶融In(0.8)Ga(0.2)Asの熱拡散率をレーザ・フラッシュ法を使って測定した。In(0.8)Ga(0.2)As 試料は薄い黒鉛円盤に挟まれ、砒素の高蒸気圧に耐える充分な強度を有した平面窓を持つ水晶容器に封入した。結果として、3層のセルを形成した。溶融In(0.8)Ga(0.2)Asの熱拡散率は融点から1,150度Cまでで、10〜12mm(exp 2)/sであった。測定された熱拡散率のばらつきは5%以下であった。; Thermal diffusivity of molten In(0.8)Ga(0.2)As was measured using the laser-flash method. The sample In(0.8)Ga(0.2)As was sandwiched between thin graphite disks, and sealed in a transparent quartz container with a flat window of sufficient strength to withstand the high-vapor pressure of arsenic. As a result, a three-layered cell was formed. Thermal diffusivity of molten In(0.8)Ga(0.2)As was 10 - 12 mm(exp 2)/s from melting point to 1,150 C. Scattering of the measured thermal diffusivity was less than 5 percent.; 資料番号: AA0029300005; レポート番号: NASDA-TMR-000007E
• オンライン閲覧公開範囲: 限定公開
• 掲載誌（NCID）: AN00364784; https://ci.nii.ac.jp/ncid/AN00364784
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 宇宙航空研究開発機構 : 宇宙航空研究開発機構リポジトリ