スパッタ非晶質シリコン膜の瞬間結晶化による高品質多結晶シリコン薄膜形成

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: スパッタ非晶質シリコン膜の瞬間結晶化による高品質多結晶シリコン薄膜形成
• 著者・編者: 大平, 圭介
• 著者標目: 大平, 圭介
• 出版年月日等: 2011-04-01
• 出版年（W3CDTF）: 2011-04-01
• 並列タイトル等: Formation of high-quality poly-Si films by rapid crystallization of sputtered a-Si films
• タイトル（掲載誌）: 科学研究費補助金研究成果報告書
• 掲載ページ: 1-4
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 熱処理; 結晶化; 多結晶シリコン; 太陽電池
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 化学気相堆積(CVD)法と比べ安全なスパッタ法により形成した非晶質シリコン(a-Si)膜を、ミリ秒の桁の瞬間熱処理であるフラッシュランプアニール(FLA)で結晶化することにより、安価なガラス基板に熱損傷を与えることなく、多結晶Si(poly-Si)膜を形成する手法を確立した。CVD a-Si 膜の結晶化の際に必要なCr 密着層が無くても、Si 膜の剥離無く結晶化が可能であること、a-Si 膜中の欠陥密度が大きく異なるにも関わらず、同様の機構での結晶化が起こることなどを明らかにした。 : I have established the method of forming polycrystalline silicon (poly-Si) films without serious thermal damage onto glass substrates by crystallizing precursor amorphous Si (a-Si) films formed by sputtering, safer than chemical vapor deposition (CVD). I have clarified that sputtered a-Si films can be crystallized without Cr adhesion films and show a crystallization mechanism similar to that shown in CVD a-Si films.; 若手研究（Ｂ）; 研究期間：2009～2010; 課題番号：21760580; 研究者番号：40396510; 研究分野：工学; 科研費の分科・細目：材料工学・材料加工・処理; identifier:https://dspace.jaist.ac.jp/dspace/handle/10119/9808
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• 一次資料へのリンクURL: https://dspace.jaist.ac.jp/dspace/bitstream/10119/9808/1/21760580seika.pdf
• オンライン閲覧公開範囲: 限定公開
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 北陸先端科学技術大学院大学 : JAIST学術研究成果リポジトリ