領域選択形成したＩｎＡｓナノワイヤ／強磁性体複合構造によるスピンデバイス

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: 領域選択形成したＩｎＡｓナノワイヤ／強磁性体複合構造によるスピンデバイス
• 著者・編者: 赤堀, 誠志
• 著者標目: 赤堀, 誠志
• 出版年月日等: 2015-06-03
• 出版年（W3CDTF）: 2015-06-03
• 並列タイトル等: Spin devices having InAs nanowire / ferromagnetic metal hybrid structures formed by selective-area growth
• タイトル（掲載誌）: 科学研究費助成事業研究成果報告書
• 掲載ページ: 1-6
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 選択成長; MBE; InAs; ナノワイヤ; FET; スピン; MnAs
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 領域選択形成InAsナノワイヤのスピンデバイス応用を目指して、(112)B基板上での成長、ウェットエッチングによる50 nm径InAsナノワイヤの形成、ナノワイヤトランジスタの作製・評価を行った。また、強磁性体電極作製技術・スピン物性評価技術として、CoFe-InGaAs系非局所スピンバルブデバイスの作製・評価、MnAs/InAs/GaAs(111)B成長と伝送線路モデルデバイスの作製・評価を行い、スピンデバイス応用に向けて有望な知見を得た。 : For the application of selective-area-grown InAs nanowires to spin devices, we carried out growth on (112)B substrates, formation of 50-nm-thick InAs nanowires by wet etching, and fabrication and characterization of nanowire transistors. Also as the technologies of ferromagnetic electrode formation and spin characterization, we carried out fabrication and characterization of CoFe-InGaAs non-local spin-valve devices, growth of MnAs/InAs/GaAs(111)B, and fabrication and characterization of transmission-line-model devices. As a result, we successfully obtained knowledge for spin device application.; 研究種目：基盤研究(C); 研究期間：2012～2014; 課題番号：24560368; 研究者番号：50345667; 研究分野：ナノ構造プロセス･物性評価; identifier:https://dspace.jaist.ac.jp/dspace/handle/10119/12832
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• 一次資料へのリンクURL: https://dspace.jaist.ac.jp/dspace/bitstream/10119/12832/1/24560368seika.pdf
• オンライン閲覧公開範囲: 限定公開
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 北陸先端科学技術大学院大学 : JAIST学術研究成果リポジトリ