並列タイトル等Computational approaches to microscopic control of wettability in liquid processes for fabricating semiconductors
一般注記本研究は、濡れ性を支配する分子力場パラメータ(ハマカー定数)を、第一原理算定する新規手法を開発した。信頼性の高い第一原理計算法と組み合わせることで、ベンゼンのベンチマーク計算は、実験をよく再現し、当該手法の妥当性を検証できた。当該手法を、アモルファスシリコン薄膜の前駆体インクであるシクロヘキサシランに応用することで、実験参照のない当該系のハマカー定数に対して、信頼性の高い計算科学参照値を得た。当該手法は、実プロセスに現れる実用分子系に対して信頼性の高い力場パラメータを供する汎用手法であり、液体プロセス技術の実用化に向けた最重要課題の一つである、濡れ性制御の動力学解析を可能にすると期待される。：We have proposed a new ab initio scheme to evaluate the Hamaker constant that is industrially useful for wettability control. Combined with our highly accurate ab initio method, the scheme applied to benzene as benchmark provided an accurate value of the constant comparable with experiments, which validates our scheme. We also applied the scheme to cyclohexasilane that is used as precursor ink to fabricate amorphous silicon thin films, getting a physically reasonable value of Hamaker constant. Thus, our developed methodology can be expected to make it possible to carry out various molecular dynamics simulations for wettability analysis of ink droplets. Such simulations would be necessary toward practical application of the next-generation liquid process (printed electronics) that is a more saving and lower environmental impact technique for fabricating various type of semiconductors, without using an expensive vacuum equipment in the conventional processes.
若手研究(B)
研究期間：2015～2016
課題番号：15K21023
研究者番号：60405040
研究分野：計算材料科学
identifier:https://dspace.jaist.ac.jp/dspace/handle/10119/14314
連携機関・データベース国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
提供元機関・データベース北陸先端科学技術大学院大学 : JAIST学術研究成果リポジトリ