並列タイトル等Development of the printed low-voltage operation organic transistors and its application to the pressure sensor sheet
一般注記まず予備検討として、溶液プロセスで作製した低電圧駆動有機電界効果トランジスタと感圧キャパシタを1つに統合することで、低電圧駆動感圧センサを開発した。次いで、ここで得られた知見をもとに低電圧駆動有機電界効果トランジスタに圧電性高分子をスタッキングさせ、新規構造であるDual-gateトランジスタ型感圧センサの開発に成功した。この素子は5 Vの低電圧で駆動しつつ、電流値の圧力応答は2桁以上を実現した。次いで、素子のフレキシブル化に取り組んだ。同時に素子の性能の改善に取り組んだところ、3 Vで圧力センサとしての駆動に成功した。:We developed a prototype of low-voltage pressure sensor by integrating an low-voltage operation organic field-effect transistor (OFET) and a sensing capacitor, which were fabricated by means of the solution process. Next, the piezoelectric polymer film was stacked onto the low-voltage OFET, and then the novel pressure sensor named Dual-gate OFET based pressure sensor was successfully fabricated. This device operated at 5 V and the change of the drain current as a function of pressure load was more than 2 order of magnitude. Then, we attempted to develop a flexible dual-gate OFET based pressure sensor. And the improvement of OFET performance was simultaneously addressed. Consequently, the pressure response of the device was successfully obtained at operation voltage of 3V.
若手研究(B)
研究期間:2016~2017
課題番号:16K21061
研究者番号:30580401
研究分野:有機エレクトロニクス
identifier:https://dspace.jaist.ac.jp/dspace/handle/10119/15406
一次資料へのリンクURLhttps://dspace.jaist.ac.jp/dspace/bitstream/10119/15406/1/16K21061seika.pdf
連携機関・データベース国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース(IRDB)(機関リポジトリ)
提供元機関・データベース北陸先端科学技術大学院大学 : JAIST学術研究成果リポジトリ